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Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.25673/1224
Title: Wachstum und Charakterisierung von InSb-Nanodrahtstrukturen
Author(s): Vogel, Alexander
Advisor(s): Schmidt, Georg, Prof. Dr.
Fontcuberta i Morral, Anna, Prof. Dr.
Wehrspohn, Ralf B., Prof. Dr.
Granting Institution: Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
Issue Date: 2011
Extent: Online-Ressource (VII, 122 S. = 36,51 mb)
Type: Hochschulschrift
Exam Date: 12.12.2011
Language: German
Publisher: Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
URN: urn:nbn:de:gbv:3:4-6711
Subjects: Nanodraht
Epitaxie
Online-Publikation
Hochschulschrift
Abstract: Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Wachstum von InSb-Nanodrähten mithilfe der Chemikalienstrahlepitaxie (CBE). Unter Benutzung eines selbst entwickelten Wachstumssystems wird zunächst das Wachstumsverhalten der InSb-Nanodrähte bestimmt, um anschließend die gezüchteten Strukturen auf deren Morphologie, strukturellen Aufbau und physikalische Eigenschaften hin zu untersuchen. Die synthetisierten Nanodrähte wurden mithilfe von Rasterelektronenmikroskopie (SEM), Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und Röntgenbeugung (XRD) charakterisiert. Essentielle Ergebnisse der Untersuchungen sind: i) Die planare Defektdichte innerhalb der Nanodrähte kann über die Wachstumstemperatur beeinflusst werden. ii) Die Änderung des Massenflussverhältnisses der Vorläufermaterialien unterdrückt das parasitäre Schichtwachstum, sowie das radiale Wachstum der Nanodrähte. iii) Durch die Verwendung geeigneter Wachstumsparameter wurden radiale InSb-GaSb-Heterostrukturen erzeugt und charakterisiert. vi) Es wurden sowohl einzelne Nanodrähte als auch großflächig geordnete Nanodrahtfelder mithilfe lithographischer Prozesse kontaktiert und elektrisch vermessen.
URI: https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/7496
http://dx.doi.org/10.25673/1224
Open access: Open access publication
Appears in Collections:Physik

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