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dc.contributor.authorKrtschil, André-
dc.date.accessioned2018-09-24T16:23:24Z-
dc.date.available2018-09-24T16:23:24Z-
dc.date.issued2000-
dc.identifier.urihttps://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/11055-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.25673/5211-
dc.description.statementofresponsibilityvon André Krtschil-
dc.format.extentOnline-Ressource (PDF-Datei: 140 S., 1189 KB)-
dc.language.isoger-
dc.publisherUniversitätsbibliothek-
dc.publisherOtto von Guericke University Library, Magdeburg, Germany-
dc.subjectHochschulschrift-
dc.subjectOnline-Publikation-
dc.titleElektrische Charakterisierung von GaN-basierten Halbleitersystemen-
dc.title.alternativeElectrical characterization of GaN-based semiconductors-
dcterms.typeHochschulschrift-
dc.typePhDThesis-
dc.identifier.urnurn:nbn:de:101:1-201010122182-
local.publisher.universityOrInstitutionOtto-von-Guericke-Universität Magdeburg-
local.subject.keywordsGalliumnitrid, elektrische und photoelektrische Eigenschaften, Heterostrukturen, Störstellen, Defekte, Dotierung, Ionenimplantation, Schottky-Raumladung-
local.openaccesstrue-
Enthalten in den Sammlungen:Fakultät für Naturwissenschaften

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