Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.25673/383
Title: Patterned Silicon nanowires p-doped by AI-induced crystallization for photovoltaic applications
Author(s): Lerose, Damiana
Advisor(s): Wehrspohn, Ralph, Prof. Dr.
Ronning, Carsten, Prof. Dr.
Schilling, Jörg, Dr.
Granting Institution: Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
Issue Date: 2011
Extent: Online-Ressource (123 S. = 48,97 mb)
Type: Hochschulschrift
Exam Date: 19.01.2011
Language: English
Publisher: Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
URN: urn:nbn:de:gbv:3:4-4647
Subjects: Fotovoltaik
Nanodraht
Gibbs-Energie
Online-Publikation
Hochschulschrift
Abstract: Zwei physikalische Prozesse sind betrachtet: (i) das Wachstum von gepatternten Si Nanodrähten (NWs) via Vapor-Liquid-Solid Mechanismus durch chemische Gasabscheidung mit Silan und (ii) der Kristallisationprozess von Si induziert von Al (AIC). Diese Prozesse sind für die Herstellung einer NW-basierten Solarzelle kombiniert. Die epitaktische kristalline Si NWs sind von gepatterten Au Dots katalysiert, so dass die Position und der Durchmesser (der die Dotierung beeinflusst) der NWs bestimmt werden. Die Au-Katalysatoren sind einzeln durch die von einer fokussierten Elektronenstrahl (FEB) induzierte Abscheidung oder großflächig via Nanokügelchen Lithographie hergestellt. Die NWs können n-dotiert werden. Die Dotierung der p-Seite der untersuchten Solarzelle erfolgt durch den AIC Prozess, der thermodynamisch beschrieben wird und experimentell erlaubt, eine epitaktische p-Si Schicht um jeden Draht zu erhalten und damit eine NW-basierten Solarzelle herzustellen, die charakterisiert wird.
URI: https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/7011
http://dx.doi.org/10.25673/383
Open access: Open access publication
Appears in Collections:Angewandte Physik

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Patterned Silicon nanowires p-doped by AI-induced crystallization for photovoltaic applications.pdf50.14 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record BibTeX EndNote


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.