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Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.25673/2399
Title: Rastertunnelmikroskopie zur Keimbildung und zum Wachstum dünner CoO-Schichten auf AG(100) und AU(100)
Granting Institution: Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
Extent: Online Ressource, Text + Image
Type: Hochschulschrift
Language: ger
Publisher: Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
URN: urn:nbn:de:gbv:3-000001116
Keywords: Elektronische Publikation
Kobaltmonoxid, Rastertunnelmikroskopie (RTM), Rastertunnelspektroskopie (RTS), Beugung langsamer Elektronen, Nukleation, Wachstum, Dünne Filme, Isolierende Filme, Oberflächenstruktur, Oberflächendefekte
Cobalt oxides, Scanning tunneling microscopy (STM), Scanning tunneling spectroscopy (STS), Low-energy electron diffraction (LEED), Nucleation; Growth, Thin films, Insulating films, Surfaces structure, Surface defects
Abstract: Übergangsmetalloxide sind allgemein von wachsender Bedeutung bei der Entwicklung katalytischer Systeme und elektronischer Bauelemente. Die meisten Metalloxide sind Isolatoren mit großer Bandlücke. Das führt zu experimentellen Problemen bei ihrer Charakterisierung. Aufladungseffekte treten gewöhnlich auf, wenn geladene Partikel zur Analyse eingesetzt werden. Die Aufladungsprobleme lassen sich prinzipiell umgehen, indem dünne epitaktische Metalloxidschichten auf metallische Substrate aufgebracht werden. Ag und Au stellen für dünne CoO-Schichten wegen der relativ geringen Gitterfehlpassung von etwa 4.3 % geeignete Substrate dar. Die CoO-Schichten wurden durch das Aufdampfen von Co in O2-Atmosphäre auf Ag(100) und Au(111) präpariert. Die Keimbildung und das Wachstum der epitaktischen CoO-Schichten wurden bei Substrattemperaturen zwischen 300 K und 600 K mittels Rastertunnelmikroskopie und Beugung langsamer Elektronen bei 300 K untersucht. Zur Identifizierung der Oxidschichten, zur Charakterisierung ihrer elektronischen Struktur und zur Optimierung der Abbildungsbedingungen zum Erhalt atomarer Auflösung wurde zusätzlich die Abhängigkeit der rastertunnelmikroskopischen Abbildungen von der Tunnelspannung untersucht. Die Abhängigkeit der Stufenhöhe von CoO kann qualitativ durch Tunnelstrombeiträge in Oxidzustände oder aus Oxidzuständen erklärt werden und korreliert mit der Größe der optischen Bandlücke des Oxides.
Generally, transition metal oxides are of growing importance in the engineering of catalytic systems and electronic devices. Most metal oxides are wide bandgap insulators, which implies experimental problems in their characterization. Usually charging effects arise when charged particles are applied as analytical tools. In principle, the charging problems can be overcome by using thin epitaxial layers of metal oxides prepared on metal substrates. Ag and Au are suitable substrates for CoO thin films because of the relatively small misfit of about 4.3 %. The CoO layers were prepared by Co deposition in O2 atmosphere on Ag(100) and Au(111). The nucleation and growth of epitaxial CoO layers have been studied at substrate temperatures between 300 K and 600 K by scanning tunneling microscopy and low-energy electron diffraction at 300 K. Additionally, for identification of the oxidic films, characterization of their electronic structure and to optimize the imaging conditions for atomically resolved results, the dependence of scanning tunneling microscopy images on the sample-bias voltage has been investigated. The dependence of the step height of CoO can be explained qualitatively by contributions of the tunneling current into of from oxide states, and correlates with the width of the optical bandgap of the oxide.
URI: https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/9184
http://dx.doi.org/10.25673/2399
Appears in Collections:Hochschulschriften bis zum 31.03.2009

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