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Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.25673/2420
Title: Wachstum und Charakterisierung von Siliziumnanodrähten
Author(s): Kolb, Florian Michael
Granting Institution: Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
Issue Date: 2005
Extent: Online-Ressource, Text + Image
Type: Hochschulschrift
Language: German
Publisher: Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
URN: urn:nbn:de:gbv:3-000008655
Subjects: Elektronische Publikation
Zsfassung in engl. Sprache
Abstract: Im Rahmen dieser Arbeit wurden Siliziumnanodrähte auf goldbeschichteten Siliziumsubstraten durch Kombination des Vapor-Liquid-Solid (VLS) Wachstumsmechanismus mit der Verdampfung von Siliziummonoxid (SiO) hergestellt. Die Struktur der entstehenden Nanodrähte wurde mit Methoden der Raster- und Transmissionselektronenmikroskopie untersucht. Die Nanodrähte mit Durchmessern von ca. 24 bis 160 nm und Längen von mehreren Mikrometern weisen einen kristallinen Siliziumkern und eine amorphe Hülle aus Siliziumdioxid auf. An der Spitze der Nanodrähte wurde der für den VLSMechanismus typische Goldtropfen nachgewiesen. Die kristallographischen Wachstumsrichtungen der Nanodrähte sowie der Einfluss ausgewählter Wachstumsparameter auf die Herstellung der Nanodrähte wurde untersucht. Ausgehend von den experimentellen Daten wurde ein Modell des SiO-VLSWachstums aufgestellt. Neben den regulären Nanodrähten wurden auch Nanodrähte mit periodischen Durchmesserinstabilitäten und Nanodrähte mit periodisch eingebetteten Gold/Silizium-Nanopartikeln untersucht. Als Ursprung der Durchmesserinstabilitäten wurde ein Selbstoszillationsprozess während des Nanodrahtwachstums nachgewiesen. Für die Entstehung der Nanodrähte mit eingebetteten Gold / Silizium-Nanopartikeln wurde, ausgehend von der strukturellen Charakterisierung, ein Modell des Entstehungsmechanismus aufgestellt. Weiterhin wurde das Oxidationsverhalten der Nanodrähte untersucht und Anzeichen für eine retardierte Oxidation im Vergleich zu planen Oberflächen festgestellt.
In this work, silicon nanowires were grown on gold-coated silicon substrates by a combination of the vapor-liquid-solid (VLS) growth mechanism with thermal evaporation of silicon monoxide (SiO). The structure of the resulting nanowires was analyzed using scanning and transmission electron microscopy. The nanowires with diameters of ca. 24 to 160 nm and lengths up to several micrometers possess a crystalline silicon core and an amorphous silicon dioxide shell. The existence of a gold droplet on the nanowire tip could be verified as required by the VLS mechanism. The crystallographic growth direction as well as the influence of selected growth parameters was investigated. Based on the experimental findings, a model of the SiO-VLS growth mechanism was presented. In addition to the regular nanowires, also nanowires with periodic diameter oscillations and nanowires with periodically embedded gold/silicon nanoparticles were found and analyzed. The origin of the diameter oscillations was shown to be a self-oscillation process during nanowire growth. For the nanowires with embedded gold/silicon nanoparticles a model for a growth mechanism was proposed, based on the structural investigation. In addition, the post-growth oxidation behavior of the nanowires was investigated, showing signs of retarded oxide growth compared to planar oxidation.
URI: https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/9205
http://dx.doi.org/10.25673/2420
Open access: Open access publication
Appears in Collections:Hochschulschriften bis zum 31.03.2009

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