Influence of domain walls on transport properties of LaAlO3 / SrTiO3 nanostructures

Abstract

This thesis primarily focuses on the influence of domain walls on the transport properties of LAO/STO nanostructure. By experiments conducted using special sample geometry, we observed a significant difference in MR with orientation angles of nanostructures which can be attributed to different orientations and the number of domain walls present in the nanostripes. Side gating measurements on nanostructures reveal that the gate voltage, independent of its polarity, induces persistent changes in the transport properties of the interface. Another aspect, which can only be demonstrated by the side gating technique is the observed scaling of the structure size in which domain related transport effects are observed. In larger structures conduction through parallel domain walls makes the effects undetectable.

In dieser Arbeit wird der Einfluss von Domänenwänden auf die Transporteigenschaften von LAO/STO-Nanostrukturen untersucht. Experimente, die mit einer speziellen Probengeometrie durchgeführt wurden, zeigen signifikante Unterschiede in der MR mit den Orientierungswinkeln der Nanostrukturen, die auf unterschiedliche Orientierungen und die Anzahl der Domänenwände in den Nanostreifen zurückzuführen sind. Nanostrukturen mit seitlichem Gate zeigen anhaltende Veränderungen der Transporteigenschaften, unabhängig von der Polarität der Gate-Spannung. Die Side-Gating-Technik zeigt eine Skalierung der Strukturgröße, bei der domänenbezogene Transporteffekte beobachtet werden. In größeren Strukturen macht die Leitung durch parallele Domänenwände diese Effekte klein oder nicht nachweisbar.