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Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.25673/345
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dc.contributor.advisorWehrspohn, Ralf, Prof. Dr.
dc.contributor.advisorHongjin, Fan, Prof. Dr.
dc.contributor.advisorRiess, Walter, Dr.
dc.contributor.authorZhang, Zhang
dc.date.accessioned2018-09-24T08:25:14Z-
dc.date.available2018-09-24T08:25:14Z-
dc.date.issued2010
dc.identifier.urihttps://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/6969-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.25673/345-
dc.description.abstractSelbst-geordnete anodische Aluminiumoxid (AAO) Membranen wurden als Masken für Wachstum und Ätzen von Halbleiter-Nanodrähten (ND) und Nanoröhrchen verwendet. Die Nanostrukturen wurden mit Ultrahochvakuum-chemischer-Gasphasenabscheidung (UHV-CVD) gewachsen. Mittels Metall-assistiertem chemischem Ätzen wurden kristallographisch orientierte geätzte Si-ND produziert. Mit isotopisch angereicherten Silanen konnten Si-Isotop-NWs (28Si, 29Si und 30Si) epitaktisch gewachsen werden. Übergangsmetall (Co) Katalysatoren wurden verwendet, um polykristalline Si-Nanoröhren in AAO-Poren herzustellen. Germanium (Ge)-ND konnten durch einen Dampf-Fest-Fest (VSS) Wachstums-Mechanismus produziert werden, und scharfe Ge/Si-Grenzflächen wurde in einer AAO-Maske erstellt. Die „Bottom-Imprint“-Methode wurde eingeführt. Das Metall für die Katalysator-Filme konnte einfach von Au nach Al geändert werden. Epitaxie von Si-ND mit Durchmesser kleiner als 10 nm wurde durch Bio-Templating mit Apo-Ferritin realisiert. Si ND wurden epitaktisch mit einem minimalen Durchmesser von 2,8 nm gewachsen. Gallium-Phosphid (GaP)-ND mit mittlerem Durchmesser 7 nm wurden epitaktisch auf Si gewachsen. Darüber hinaus wurde Silber als Katalysator für das GaP-ND Wachstum eingeführt.
dc.description.statementofresponsibilityvon Zhang Zhang
dc.format.extentOnline-Ressource (IV, 128 S. = 9,35 mb)
dc.language.isoeng
dc.publisherUniversitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
dc.subjectOnline-Publikation
dc.subjectHochschulschrift
dc.subject.ddc537.6221
dc.subject.ddc530-
dc.titleEpitaxial semiconductor nanostructure growth with templates
dcterms.dateAccepted17.12.2010
dcterms.typeHochschulschrift
dc.typeDoctoral Thesis
dc.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:3:4-4271
local.publisher.universityOrInstitutionMartin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
local.subject.keywordsMasken; Epitaxie; Halbleiter; Nanodraht; Nanoröhrchen; anodisches Aluminiumoxid (AAO); chemische Dampfphasenabscheidung (CVD); Dampf-Flüssig-Fest (VLS); Dampf-Fest-Fest (VSS); Apo-Ferritin
local.subject.keywordsTemplate; Epitaxy; Semiconductor; Nanowire; Nanotube; Anodic Aluminium Oxide (AAO); Chemical-Vapor Deposition (CVD); Vapor-Liquid-Solid (VLS); Vapor-Solid-Solid (VSS); Apo-Ferritineng
local.openaccesstrue-
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