Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.25673/477
Title: The appearance of vacancies during Cu and Zn diffusion in III-V compound semiconductors
Author(s): Elsayed, Mohamed
Referee(s): Krause-Rehberg, R., Prof. Dr.
Stolwijk, Nicolaas A., Prof. Dr.
Leipner, H. S., Dr.
Granting Institution: Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
Issue Date: 2011
Extent: Online-Ressource ( [13], 116 S. = 3,47 mb)
Type: Hochschulschrift
Type: Doctoral Thesis
Exam Date: 23.03.2011
Language: English
Publisher: Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
URN: urn:nbn:de:gbv:3:4-5381
Subjects: Halbleiterwerkstoff
Online-Publikation
Hochschulschrift
Abstract: GaAs und GaN sind derzeit die wichtigsten III-V-Verbindungshalbleiter. Sie werden aufgrund ihrer elektronischen Eigenschaften und der direkte Bandlücken verwendet, um eine Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen herzustellen. Sie stellen auch die Grundmaterialien von Halbleiterlasern dar. Diese Materialien haben im Vergleich zu den Elementhalbleitern, bspw. Silizium, hervorragende Eigenschaften. Die Halbleiterbauelemente erfahren Wärmebehandlungen während des Herstellungsprozesses, so dass die Diffusion während ihrer Herstellung eine wichtige Rolle spielt. Das Verständnis der Diffusionsprozesse von Verunreinigungen und Dotieratomen ist von großer Bedeutung, um die Kontrolle über die Technologie zu behalten. Die Punktdefekte im Material spielen eine wichtige Rolle bei der Bestimmung und Gestaltung seiner Eigenschaften. Die Arbeit zielt darauf ab, die Defekteigenschaften während der Cu- und Zn- Diffusion in GaAs und GaN mittels Positronenannihilations-Spektroskopie zu untersuchen. Dazu wurde eine Kombination von Positronenlebensdauer- und Dopplerkoinzidenz-Spektroskopie mit einer theoretischen Berechnung der Annihilationsparameter benutzt. Thermodynamische Überlegungen und vor allem die Abhängigkeit der Defektkonzentration vom As-Dampfdruck half bei der Identifizierung von Defekten. As-Leerstellenkomplexe wurden in semi-isolierendem und Zn-dotiertem GaAs gefunden. Während einer Cu-Diffusion in Te-dotiertem GaAs wurden außerdem Ga-Leerstellen, die mit Cu dekoriert waren, identifiziert. Bei Zn-Diffusionsexperimenten in GaAs wurden Zn-dekorierte As-Leerstellen beobachtet. Die Defekte sind bis in dieselbe Tiefe vorhanden, in die auch die Dotieratome diffundiert waren. Das wurde mit korrelierten Experimenten der Positronenstrahltechnik (VEPAS), der Positronenlebensdauer (PALS) und der Sekundärionen-Massenspektroskopie (SIMS) gezeigt. Die Ergebnisse bei der Cu-Ein-Diffusion in GaAs sind gut mit dem Kick-Out-Mechanismus zu erklären. Bei der Aus-Diffusion von Cu treten allerdings Leerstellen auf, die sich mit den üblichen Diffusionsmodellen in Halbleitern nicht erklären lassen. Die Cu Ein-Diffusion in GaN kann ebenfalls mit dem Kick-Out-Mechanismus beschrieben werden.
URI: https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/7116
http://dx.doi.org/10.25673/477
Open Access: Open access publication
Appears in Collections:Physik

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
The appearance of vacancies during Cu and Zn diffusion in III-V compound semiconductors.pdf3.55 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record BibTeX EndNote


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.