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Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.25673/1480
Title: On the origin of magnetoresistance in organic spin valves
Author(s): Grünewald, Matthias
Referee(s): Schmidt, Georg, Prof. Dr.
Dörr, Kathrin, Prof. Dr.
Koopmans, Bert, Prof. Dr.
Granting Institution: Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
Issue Date: 2015
Extent: Online-Ressource (181 Bl. = 12,37 mb)
Type: Hochschulschrift
Type: Doctoral Thesis
Exam Date: 03.06.2015
Language: English
Publisher: Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
URN: urn:nbn:de:gbv:3:4-14623
Subjects: Online-Publikation
Hochschulschrift
Abstract: Der erste Teil der Arbeit behandelt die Herstellung und Charakterisierung von vertikalen OSVs. Letztere erfolgt hauptsächlich durch Transportmessungen bei tiefen Temperaturen. Die wichtigsten Resultate wurden durch Untersuchungen zum Hanle- und TAMR-Effekt erzielt. Anhand aller Ergebnisse wird die Ursache des beobachteten Spin-Ventil-Effekts ersichtlich. Mit Hilfe des entwickelten vollständigen und widerspruchsfreien Modells für diesen durch Tunnelprozesse hervorgerufenen Effekt werden für die charakterisierten Strukturen offene Fragen im Hinblick auf den MR in OSVs beantwortet. In einigen Strukturen wurde auch der RS-Effekt untersucht. Die beobachtete Wechselwirkung zwischen RS- und TAMR-Effekt trug wesentlich dazu bei, für ersteren ebenfalls ein konsistentes Modell zu entwickeln. Es beruht auf der Modifikation des Sauerstoffgehalts der La0.7Sr0.3MnO3-Elektrode. Im zweiten Teil der Arbeit wird die Entwicklung eines neuen Schattenbedampfungs-Prozesses zur Herstellung lateraler OSVs (Kanallänge < 100nm) vorgestellt. Erste Ergebnisse zeigen, dass in diesen Strukturen ein großer MR bei Raumtemperatur erzielt werden kann.
In the first part of this thesis the fabrication and characterisation of vertical OSVs is described. The focus concerning the latter is on transport measurements carried out at low temperatures. The most important results were gained by the investigation of the Hanle and the TAMR effect. On the basis of all findings the physics behind the observed spin-valve effect can be unveiled. Thus, a complete and consistent model for the unambiguously tunneling-based MR is provided. Hereby, for the devices under investigation, a lot of open questions related to the MR in OSVs are answered. Furthermore, the RS effect was extensively studied in some of the structures. A key finding of these experiments is the observed interplay between the TAMR and RS. Also for the RS a fully consistent explanation is given, which is based on the modification of the La0.7Sr0.3MnO3 electrode’s oxygen stoichiometry. In the second part of the thesis the development of a new, shadow-evaporation-based fabrication process for lateral OSVs with a sub-100nm channel-length is presented. Preliminary results show that working devices are achieved which exhibit a large MR effect at room temperature.
URI: https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/8251
http://dx.doi.org/10.25673/1480
Open Access: Open access publication
Appears in Collections:Physik

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