Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.25673/162
Title: Influence of the interface structure on the electronic transport in planar tunnel junctions - a first-principles investigation
Author(s): Bose, Peter
Referee(s): Mertig, Ingrid, Prof. Dr.
Hergert, Wolfram, Prof. Dr.
Dederichs, Peter, Prof. Dr.
Granting Institution: Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
Issue Date: 2010
Extent: Online-Ressource (93 S. = 8,87 mb)
Type: Hochschulschrift
Type: PhDThesis
Exam Date: 18.05.2010
Language: English
Publisher: Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
URN: urn:nbn:de:gbv:3:4-2832
Subjects: Magnetisches Tunnelelement
Vielfachstreuung
KKR-Methode
Online-Publikation
Hochschulschrift
Abstract: Frühere theroretische Untersuchungen des Tunnelmagnetwiderstandseffektes in planaren Tunnelkontakten haben gezeigt, dass die elektronischen Transporteigenschaften signifikant von den Eigenschaften der Grenzflächen abhängen. In dieser Arbeit wird diese Problematik eingehender untersucht. Die durchgeführten ab initio Berechnungen beruhen auf dem Landauer-Büttiker Verfahren, wie es in der Vielfachstreutheorie (layer Korring-Kohn-Rostoker Methode) formuliert wird. Die untersuchten Projekte lassen sich in zwei Schwerpunktthemen eingeteilen: substituitionale Unordnung sowie der Einfluss von magnetischen Zwischenlagen in Fe/MgO/Fe Tunnelkontakten. Experimentell wurden partiell oxidierte Grenzflächen in Fe/MgO/Fe Kontakten festgestellt. Die hierbei auftretenden substitionell ungeordneten FeO_{c} Grenzschichten sind mit Hilfe eines Superzellenverfahrens untersucht worden. Das Hauptergebnis zeigt im Vergleich zum idealen Kontakt (c=0) eine starke Reduktion des Tunnelmagnetwiderstandsverhältnisses (TMR) um 80% für eine Sauerstoffkonzentration von 4%. Der zweite Fokus der Arbeit bestand in der Beantwortung der Fragestellung, inwieweit eingebettete magnetischen Zwischenschichten (Mn, Cr, Co) eine Erhöhung bzw. ein Tuning des TMR Verhältnisses erlauben.
URI: https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/6766
http://dx.doi.org/10.25673/162
Open Access: Open access publication
License: In CopyrightIn Copyright
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