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Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.25673/1224
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dc.contributor.advisorSchmidt, Georg, Prof. Dr.
dc.contributor.advisorFontcuberta i Morral, Anna, Prof. Dr.
dc.contributor.advisorWehrspohn, Ralf B., Prof. Dr.
dc.contributor.authorVogel, Alexander
dc.date.accessioned2018-09-24T10:39:04Z-
dc.date.available2018-09-24T10:39:04Z-
dc.date.issued2011
dc.identifier.urihttps://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/7496-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.25673/1224-
dc.description.abstractDie vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Wachstum von InSb-Nanodrähten mithilfe der Chemikalienstrahlepitaxie (CBE). Unter Benutzung eines selbst entwickelten Wachstumssystems wird zunächst das Wachstumsverhalten der InSb-Nanodrähte bestimmt, um anschließend die gezüchteten Strukturen auf deren Morphologie, strukturellen Aufbau und physikalische Eigenschaften hin zu untersuchen. Die synthetisierten Nanodrähte wurden mithilfe von Rasterelektronenmikroskopie (SEM), Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und Röntgenbeugung (XRD) charakterisiert. Essentielle Ergebnisse der Untersuchungen sind: i) Die planare Defektdichte innerhalb der Nanodrähte kann über die Wachstumstemperatur beeinflusst werden. ii) Die Änderung des Massenflussverhältnisses der Vorläufermaterialien unterdrückt das parasitäre Schichtwachstum, sowie das radiale Wachstum der Nanodrähte. iii) Durch die Verwendung geeigneter Wachstumsparameter wurden radiale InSb-GaSb-Heterostrukturen erzeugt und charakterisiert. vi) Es wurden sowohl einzelne Nanodrähte als auch großflächig geordnete Nanodrahtfelder mithilfe lithographischer Prozesse kontaktiert und elektrisch vermessen.
dc.description.statementofresponsibilityvon Alexander Vogel
dc.format.extentOnline-Ressource (VII, 122 S. = 36,51 mb)
dc.language.isoger
dc.publisherUniversitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
dc.subjectNanodraht
dc.subjectEpitaxie
dc.subjectOnline-Publikation
dc.subjectHochschulschrift
dc.subject.ddc530-
dc.titleWachstum und Charakterisierung von InSb-Nanodrahtstrukturen
dcterms.dateAccepted12.12.2011
dcterms.typeHochschulschrift
dc.typeDoctoral Thesis
dc.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:3:4-6711
local.publisher.universityOrInstitutionMartin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
local.subject.keywordsIII-V-Halbleiter; Nanodrähte; Vapor-Liquid-Solid (VLS); Vapor-Solid-Solid (VSS); epitaktisches Wachstum; Chemikalienstrahlepitaxie (CBE); Elektronenmikroskopie; Heterostrukturen
local.subject.keywordsIII-V semiconductors; nanowires; Vapor-Liquid-Solid (VLS); Vapor-Solid-Solid (VSS); epitaxial growth; Chemical Beam Epitaxy (CBE); electron microscopy; heterostructureseng
local.openaccesstrue-
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