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Titel: Wachstum und Charakterisierung von InSb-Nanodrahtstrukturen
Autor(en): Vogel, Alexander
Gutachter: Schmidt, Georg, Prof. Dr.
Fontcuberta i Morral, Anna, Prof. Dr.
Wehrspohn, Ralf B., Prof. Dr.
Körperschaft: Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
Erscheinungsdatum: 2011
Umfang: Online-Ressource (VII, 122 S. = 36,51 mb)
Typ: Hochschulschrift
Art: Dissertation
Tag der Verteidigung: 2011-12-12
Sprache: Deutsch
Herausgeber: Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
URN: urn:nbn:de:gbv:3:4-6711
Schlagwörter: Nanodraht
Epitaxie
Online-Publikation
Hochschulschrift
Zusammenfassung: Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Wachstum von InSb-Nanodrähten mithilfe der Chemikalienstrahlepitaxie (CBE). Unter Benutzung eines selbst entwickelten Wachstumssystems wird zunächst das Wachstumsverhalten der InSb-Nanodrähte bestimmt, um anschließend die gezüchteten Strukturen auf deren Morphologie, strukturellen Aufbau und physikalische Eigenschaften hin zu untersuchen. Die synthetisierten Nanodrähte wurden mithilfe von Rasterelektronenmikroskopie (SEM), Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und Röntgenbeugung (XRD) charakterisiert. Essentielle Ergebnisse der Untersuchungen sind: i) Die planare Defektdichte innerhalb der Nanodrähte kann über die Wachstumstemperatur beeinflusst werden. ii) Die Änderung des Massenflussverhältnisses der Vorläufermaterialien unterdrückt das parasitäre Schichtwachstum, sowie das radiale Wachstum der Nanodrähte. iii) Durch die Verwendung geeigneter Wachstumsparameter wurden radiale InSb-GaSb-Heterostrukturen erzeugt und charakterisiert. vi) Es wurden sowohl einzelne Nanodrähte als auch großflächig geordnete Nanodrahtfelder mithilfe lithographischer Prozesse kontaktiert und elektrisch vermessen.
URI: https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/7496
http://dx.doi.org/10.25673/1224
Open-Access: Open-Access-Publikation
Nutzungslizenz: In CopyrightIn Copyright
Enthalten in den Sammlungen:Physik

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