Photoelektronenspektroskopische und elektrische Charakterisierung von selbstorganisierenden Monoschichten als ultradünnes Dielektrikum in Metall-Isolator-Halbleiter-Dioden

Abstract

Die mikroskopischen Struktureigenschaften von Ober- und Grenzflächen moderner und neuartiger elektrischer Bauelemente bestimmen maßgeblich deren makroskopisch anwendbares elektrisches Verhalten. In dieser Arbeit wurde ein solches neuartiges Bauelement - eine Metall-Monolagen-Halbleiter-Diode - hergestellt und hinsichtlich der mikroskopischen Eigenschaften der Halbleiter-Monolagen-Grenzschicht mittels der Photoelektronenspektroskopie für elektronische Rumpfzustände, der makroskopischen elektrischen Eigenschaften mittels der Aufnahme von Strom-Spannungs-Kennlinien und der Korrelation zwischen den mikroskopischen und den makroskopischen Eigenschaften qualitativ und quantitativ untersucht.

The macroscopic electrical behavior of current and novel electrical components is determined by the microscopic structure and chemical properties of their surfaces and interfaces. In this work, such a new component – a metal monolayer semiconductor diode – was produced and evaluated. The focus of the research was on the microscopic properties of the semiconductor monolayer interface, which was analyzed by photoelectron spectroscopy for electronic core states, the macroscopic electrical properties of the diode, which was analyzed by their current-voltage characteristics, and the correlation between the microscopic and the macroscopic properties.