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http://dx.doi.org/10.25673/5049| Titel: | Epitaxial growth and properties of AlGaN-based UV-LEDs on Si(111) substrates |
| Autor(en): | Saengkaew, Phannee |
| Gutachter: | Krost, Alois Hoffmann, Axel |
| Körperschaft: | Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg |
| Erscheinungsdatum: | 2010 |
| Umfang: | Online-Ressource (PDF-Datei: 227 S., 10,7 KB) |
| Typ: | Hochschulschrift |
| Art: | Dissertation |
| Sprache: | Englisch |
| Herausgeber: | Universitätsbibliothek Otto von Guericke University Library, Magdeburg, Germany |
| URN: | urn:nbn:de:101:1-201104192936 |
| Schlagwörter: | Aluminiumnitrid Galliumnitrid Epitaxieschicht Silicium Kristallfläche MOCVD-Verfahren Lumineszenzdiode Ultraviolett Hochschulschrift |
| URI: | https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/11139 http://dx.doi.org/10.25673/5049 |
| Open-Access: |  Open-Access-Publikation |
| Enthalten in den Sammlungen: | Fakultät für Naturwissenschaften |
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| Datei | Beschreibung | Größe | Format | |
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