Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen:
http://dx.doi.org/10.25673/4052| Titel: | Growth of semi-polar GaN on high index silicon (11h) substrates by metal organic vapor phase epitaxy |
| Autor(en): | Ravash, Roghaiyeh |
| Gutachter: | Dadgar, Armin |
| Körperschaft: | Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg |
| Erscheinungsdatum: | 2014 |
| Umfang: | Online Ressource (PDF-Datei) |
| Typ: | Hochschulschrift |
| Art: | Dissertation |
| Sprache: | Englisch |
| Herausgeber: | Universitätsbibl. Otto von Guericke University Library, Magdeburg, Germany |
| URN: | urn:nbn:de:gbv:ma9:1-4514 |
| URI: | https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/11784 http://dx.doi.org/10.25673/4052 |
| Open-Access: |  Open-Access-Publikation |
| Enthalten in den Sammlungen: | Fakultät für Naturwissenschaften |
Dateien zu dieser Ressource:
| Datei | Beschreibung | Größe | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Roghaiyeh_Ravash_Dissertation.pdf | 8.3 MB | Adobe PDF |  Öffnen/Anzeigen |