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Titel: Growth of semi-polar GaN on high index silicon (11h) substrates by metal organic vapor phase epitaxy
Autor(en): Ravash, Roghaiyeh
Gutachter: Dadgar, Armin
Körperschaft: Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
Erscheinungsdatum: 2014
Umfang: Online Ressource (PDF-Datei)
Typ: Hochschulschrift
Art: Dissertation
Sprache: Englisch
Herausgeber: Universitätsbibl.
Otto von Guericke University Library, Magdeburg, Germany
URN: urn:nbn:de:gbv:ma9:1-4514
URI: https://opendata.uni-halle.de//handle/1981185920/11784
http://dx.doi.org/10.25673/4052
Open-Access: Open-Access-Publikation
Enthalten in den Sammlungen:Fakultät für Naturwissenschaften

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